深圳市可易亚半导体科技有限公司 main business:集成电路、半导体产品及配件、电子产品的技术开发及销售；通讯产品、弱电智能系统的技术开发；计算机软硬件的技术开发、销售、上门安装、上门维护；技术咨询（不含证券、保险、基金、金融业务、人才中介服务及其它限制项目）；投资兴办实业（具体项目另行申报）；国内贸易，经营进出口业务（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）。^ and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 深圳市福田区车公庙天吉大厦CD座5C1.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
- 440301103982656
- 91440300691175642L
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司
- 2009年04月29日
- 赵喜高
- 1000.000000
- 2009年04月29日 至 2019年04月29日
- 深圳市市场监督管理局
- 2016年03月09日
- 深圳市福田区车公庙天吉大厦CD座5C1
- 集成电路、半导体产品及配件、电子产品的技术开发及销售；通讯产品、弱电智能系统的技术开发；计算机软硬件的技术开发、销售、上门安装、上门维护；技术咨询（不含证券、保险、基金、金融业务、人才中介服务及其它限制项目）；投资兴办实业（具体项目另行申报）；国内贸易，经营进出口业务（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）。^
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 深圳市可易亚半导体科技有限公司 | http://kiaicmos.1688.com/ | |
| 网站 | 深圳市可易亚半导体科技有限公司 | http://www.kiaic.com/ |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105632919A | 绝缘栅双极型晶体管的制备方法 | 2016.06.01 | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括步骤：形成p型半导体衬底；在所述p型衬底上生长埋氧 |
| 2 | CN205159333U | 一种新型绝缘栅双极型晶体管 | 2016.04.13 | 本实用新型公开了一种新型绝缘栅双极型晶体管，包括p型半导体衬底、形成于所述p型衬底上的埋氧层、形成于 |
| 3 | CN205159332U | 分流器结构型横向沟槽电极绝缘栅双极型晶体管 | 2016.04.13 | 本实用新型公开了一种分流器结构型横向沟槽电极绝缘栅双极型晶体管，包括由氧化膜形成的p型衬底；在所述p |
| 4 | CN105405874A | 分流器结构型横向沟槽电极绝缘栅双极型晶体管 | 2016.03.16 | 本发明公开了一种分流器结构型横向沟槽电极绝缘栅双极型晶体管，包括由氧化膜形成的p型衬底；在所述p型衬 |
| 5 | CN105390536A | 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 | 2016.03.09 | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括半导体衬底；在所述半导体衬 |
| 6 | CN105336767A | 横向沟槽电极双通道发射极关断晶闸管 | 2016.02.17 | 本发明公开了一种横向沟槽电极双通道发射极关断晶闸管，包括p型基板、在所述p型基板上层形成的n-漂移层 |
| 7 | CN105322003A | 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 | 2016.02.10 | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括半导体衬底，在所述半导体衬 |
| 8 | CN205004339U | 横向沟槽电极双通道发射极关断晶闸管 | 2016.01.27 | 本实用新型公开了一种横向沟槽电极双通道发射极关断晶闸管，包括p型基板、在所述p型基板上层形成的n-漂 |
| 9 | CN204144268U | 具有静电保护结构的功率器件 | 2015.02.04 | 本实用新型公开一种具有静电保护结构的功率器件，包括：漂移层、漏区、漏极、P-掺杂区、第一N+掺杂区、 |
| 10 | CN204144265U | 可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构 | 2015.02.04 | 本实用新型公开一种可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构，包括：第一漂移层、形成于所述第一漂移层中的数 |
| 11 | CN104300000A | 具有静电保护结构的功率器件及其制作方法 | 2015.01.21 | 本发明公开一种具有静电保护结构的功率器件及其制作方法，所述具有静电保护结构的功率器件包括：漂移层、漏 |
| 12 | CN104282738A | 可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构 | 2015.01.14 | 本发明公开一种可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构，包括：第一漂移层、形成于所述第一漂移层中的数个有 |
| 13 | CN203103307U | IGBT半导体器件 | 2013.07.31 | 本实用新型公开了一种IGBT半导体器件，所述IGBT半导体器件的内部结构层包括：依次连接的P+注入区 |
Map(The red dot in the figure below is 深圳市可易亚半导体科技有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
